بررسی ویژگی های نیمه هادی AIN و کاربردهای آن
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 738
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AEBSCONF01_416
تاریخ نمایه سازی: 6 آبان 1393
چکیده مقاله:
تکنولوژی نیمه هادی مدرن منجر به بهبود قطعات می شود و در قدم گذاشتن بشر به عصر دیجیتال و الکترونیک نوین نقش مهمی را در ارتقا سطح زندگی ایفا می کند. اساس ساخت پردازشگرها و تمام دستگاه هایی که به نحوی اطلاعات و عملیاتی را پردازشمی کنند، از کامپیوتر شخصی گرفته تا دستگاه های عکس برداری پزشکی و ... نیمه هادی هاست قطعات مبتنی بر نیمه هادی های گروه 3 نیتریدی به ویژه نیمه هادی AIN با لایه نشانی بر روی نیمه هادی GaN با لایه نشانی بر روی نیمه هادی GaN به دلیل خواص ذاتی ماده , نوید قطعاتی با قدرت بالا AIN ساختار کریستالی , انرژی باند گپ , قابلیت تحرک پذیری, فرکانس بالا و توان مصرفی پایین را می دهد . این مقاله به بررسی ویژگی های نیمه هادی آلومینیوم نیترید در قطعات می پردازد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
پریسا اسماعیلی
کارشناس ارشد نانوالکترونیک
کریم عباسیان
استاد دانشگاه تبریز
غلامرضا کیانی
استاد دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :