مقایسه خواص الکتریکی سرامیک های وریستور ZnO-Bi۲O۳-Sb۲O۳ تهیه شده به روش های زینتر سنتی و فلش

سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 52

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_METALL-26-4_003

تاریخ نمایه سازی: 7 آبان 1405

چکیده مقاله:

در این مقاله سرامیک وریستور پایه ZnO-Bi۲O۳-Sb۲O۳ به روش فلش زینتر تحت میدان الکتریکی V/cm۳۰۰ و چگالی جریان mA/mm۲ ۱۰۰ ساخته و خواص ساختاری و الکتریکی آن با نمونه ی زینتر شده به روش مرسوم مقایسه شده است. چگالی نمونه فلش زینتر به مقدار ۶/۹۵% چگالی تئوری رسیده و ریزساختار و فازهای موجود در آن مشابه نمونه زینتر سنتی است. رسم منحنی E-J رفتار غیرخطی و خواص وریستوری نمونه ی فلش زینتر شده را نشان می دهد. مقادیر ضریب غیرخطی نمونه هایی زینتر شده یه روش های فلش و مرسوم به ترتیب ۴/۳۴ و ۵/۴۱ بدست آمد. ارتفاع سد پتانسیل، عرض لایه تهی، چگالی دهنده ها و حالات سطحی در فصل مشترک دانه و مرزدانه تحت میدان الکتریکیDC با استفاده از مدل گسیل گرمایونی محاسبه شده است. مقدار مقاومت الکتریکی مرزدانه که به روش امپدانس الکتروشیمیایی اندازه گیری شده است در نمونه فلش زینتر کمتر از نمونه زینتر شده مرسوم می باشد که دلیل آن عدم زمان کافی برای نفوذ کامل یون ها از حجم فاز عایق به مرز دانه است. پایداری نمونه ها با استفاده از روش خزش جریان در اثر اعمال دما و میدان الکتریکی بررسی شد. نتایج نشان داد نشت جریان در نمونه ی فلش زینتر شده بیشتر از نمونه ی زینتر شده معمولی است.

نویسندگان

اکبر امینی

، پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو، سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران

مرجان رجبی

گروه مواد در انرژی- پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو- سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران- تهران

سید محمد زهرایی

پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو، سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Cologna M, Francis JS, Raj R. Field assisted and flash ...
  • Raj R. Joule heating during flash-sintering. Journal of the European ...
  • Zhang Y, Nie J, Chan JM, Luo J. Probing the ...
  • Look DC. Doping and defects in ZnO. Zinc Oxide Bulk, ...
  • Nie J, Zhang Y, Chan JM, Jiang S, Huang R, ...
  • Peng P, Deng Y, Niu J, Shi L, Mei Y, ...
  • Mei Y, Pandey S, Long W, Liu J, Zhong S, ...
  • Cui B, Niu J, Peng P, Shi L, Du S, ...
  • Niu J, She H, Liu Z, Cheng M, Xu J, ...
  • Shi M, Liu J, Li J, Xu J, Jiang M, ...
  • Wu A, Zhu Z, Wang X, Yan N, Zhou H, ...
  • Gupta TK. Application of zinc oxide varistors. Journal of the ...
  • Eda K. Zinc oxide varistors. IEEE Electrical Insulation Magazine. ۱۹۸۹;۵(۶):۲۸-۳۰ ...
  • Olsson E, Dunlop G, Österlund R. Development of functional microstructure ...
  • Matsuoka M. Nonohmic properties of zinc oxide ceramics. Japanese Journal ...
  • Levinson LM, Philipp HR. The physics of metal oxide varistors. ...
  • Kim ED, Kim CH, Oh MH. Role and effect of ...
  • Onreabroy W, Sirikulrat N. Effects of cobalt doping on nonlinearity ...
  • Pillai SC, Kelly JM, McCormack DE, Ramesh R. High performance ...
  • Han J, Mantas P, Senos A. Grain growth in Mn-doped ...
  • Liu J, He J, Hu J, Long W. The dependence ...
  • Chen G-h, Li J-l, Chen X, Kang X-l, Yuan C-l. ...
  • Baptista J, Mantas P. High temperature characterization of electrical barriers ...
  • Cologna M, Rashkova B, Raj R. Flash sintering of nanograin ...
  • Phuah XL, Wang H, Charalambous H, Jha SK, Tsakalakos T, ...
  • Zhang Y, Jung J-I, Luo J. Thermal runaway, flash sintering ...
  • Kayed T, Mergen A. Electrical properties of Bi۱. ۵ZnSb۱. ۵O۷ ...
  • Daneu N, Rečnik A, Bernik S. Grain growth control in ...
  • Dhage S, Choube V, Ravi V. Nonlinear I–V characteristics of ...
  • Xu D, Cheng X, Zhao G, Yang J, Shi L. ...
  • Shahraki MM, Chermahini MD, Abdollahi M, Irankhah R, Mahmoudi P, ...
  • Gupta TK, Carlson WG. A grain-boundary defect model for instability/stability ...
  • Cheng L, Li G, Yuan K, Meng L, Zheng L. ...
  • Eda K, Iga A, Matsuoka M. Current creep in nonohmic ...
  • نمایش کامل مراجع