مدلسازی افزاره های نانولوله های کربنی و گرافنی با روش های فراابتکاری و شبکه عصبی مصنوعی مناسب برای سطوح مختلف SPICE

در این پژوهش دو رویکرد مجزا برای مدل سازی افزاره های گرافنی و نانولوله ای پیشنهاد شده است. در روش نخست، با استفاده از مدل تحلیلی فراابتکاری مبتنی بر الگوریتم PSO، معادلات فیزیکی جریان درین ترانزیستور DH-CNTFET استخراج می شوند که قابلیت استفاده در شبیه سازی مدارها در سطوح مختلف SPICE را دارند. این مدل با حفظ جنبه های فیزیکی دقت بالا و پایداری عددی را فراهم می آورد. در رویکرد دوم از داده های حاصل از شبیه سازی عددی ترانزیستور GNRFET به عنوان ورودی شبکه عصبی مصنوعی استفاده شده تا مدلی سریع و دقیق برای پیش بینی جریان درین در ساختارهای گرافنی ایجاد شود. مدل عصبی ضمن کاهش چشمگیر زمان محاسبات رفتار الکتریکی ترانزیستور را با دقت بالایی تقریب می زند. مقایسه نتایج نشان می دهد هر دو مدل در محدوده های مختلف کاربردی مزیت های خاص خود را دارند.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور ، نانولوله کربنی ، شبکه عصبی مصنوعی ، الگوریتم ازدحام ذرات (PSO)