بررسی اثر لایه مسدودکننده الکترون درجه بندی شده بر عملکرد سلولهای خورشیدی نانوساختار مبتنی بر GaN

درصد مطالعه حاضر بررسی بهبود ویژگی های فوتوولتائیک سلول خورشیدی ایندیم گالیم نیترید با استفاده از برنامه شبیه سازی سیلواکو اطلس می باشد. در این سلول خورشیدی ابتدا ساختار سلول با لایه های امیتر و بیس گالیم نیترید مورد بررسی قرار گرفت و با بهینه سازی ضخامت این لایه ها و بهینه سازی غلظت ناخالصی بیشترین بازدهی ۷/۶۳ درصد به دست آمد. با افزودن لایه جاذب ایندیم گالیم نیترید بین لایه های امیتر و بیس گالیم نیترید بازدهی سلول خورشیدی به ۲۴/۸۹ رسید. سپس ساختار سلول خورشیدی حاوی چاه و سد کوانتومی گالیم نیترید و ایندیم گالیم نیترید بررسی گردید و بازدهی ۳۳/۵۰ درصد به دست آمد همچنین سلول خورشیدی با لایه مسدود کننده الکترون آلومینیوم گالیم نیترید با بازدهی ۳۴/۸۳ درصد مورد بررسی قرار گرفت و در نهایت در سلول خورشیدی با لایه مدرج شده مسدود کننده الکترون بازدهی سلول خورشیدی ۳۷/۹۳ درصد به دست آمد.

کلیدواژه ها:

سلول خورشیدی ایندیم گالیم ، نیترید لایه مسدود کننده ، الکترون فوتوولتائیک ، نانوساختار