بررسی استوکیومتری و آهنگ لایه نشانی اکسید تنگستن با تغییر شار گاز اکسیژن در فرایند هایپیمز (HiPIMS)

در این پژوهش، تاثیر تغییر شار گاز اکسیژن بر استوکیومتری و آهنگ لایه نشانی لایه های نازک اکسید تنگستن (WO) تهیه شده به روش کندوپاش پالسی با توان بالا (HiPIMS) مورد بررسی قرار گرفته است. لایه ها با استفاده از هدف تنگستن خالص و در اتمسفر مخلوط آرگون-اکسیژن بر روی زیرلایه شیشه ای لایه نشانی شدند. با افزایش شار اکسیژن تغییر قابل توجهی در ترکیب شیمیایی، استوکیومتری و نرخ رشد لایه ها مشاهده شد. نتایج نشان می دهد که افزایش سهم اکسیژن منجر به کاهش آهنگ لایه نشانی به دلیل پدیده مسمومیت هدف و افزایش برخوردهای غیرکشسان در پلاسما می شود در حالی که استوکیومتری لایه ها به سمت WO۳ نزدیک می گردد. این نتایج اهمیت کنترل دقیق شار اکسیژن را در بهینه سازی خواص لایه های WO برای کاربردهای اپتوالکترونیکی و الکتروکرومیک نشان می دهد.

کلیدواژه ها:

اکسید ، تنگستن ، هایپیمز ، استوکیومتری ، آهنگ لایه نشانی ، شار اکسیژن