ترانسدیوسرها از اصول فیزیکی تا سامانه های هوشمند پوشیدنی و قابل کاشت: تحلیل جامع انواع، فناوری های ساخت، مشخصات کلیدی و چشم انداز آینده با مروری بر داده های تجربی
محل انتشار: کنگره سالانه علوم و فناوری های پیشرفته مهندسی هوافضا، رباتیک، نانو و انرژی های تجدیدپذیر
سال انتشار: 1404
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 58
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCARNR01_106
تاریخ نمایه سازی: 24 خرداد 1405
چکیده مقاله:
ترانسدیوسرها به عنوان پل ارتباطی میان دنیای فیزیکی و دنیای الکترونیک، نقشی حیاتی و بی بدیل در تبدیل کمیت های غیرالکتریکی به سیگنال های الکتریکی و برعکس در سیستم های اندازه گیری، کنترل، حسگری، محرک سازی و اینترنت اشیا ایفا می کنند. این مقاله به بررسی جامع اصول عملکرد، انواع اصلی (مقاومتی، خازنی، القایی، پیزوالکتریک، ترموالکتریک، نوری، الکتروشیمیایی، مغناطیسی و MEMS)، فناوری های ساخت (لیتوگرافی سیلیکونی، چاپ سه بعدی، لایه نشانی مولکولی)، مشخصات کلیدی (حساسیت، خطی بودن، محدوده دینامیکی، تکرارپذیری، پایداری) و کاربردهای ترانسدیوسرها می پردازد. بر اساس داده های تجربی، گرافن تک لایه دارای تحرک پذیری الکترونی ۱۵۰۰۰ سانتی متر مربع بر ولت-ثانیه (۱۰ برابر سیلیکون) و شفافیت نوری ۹۷/۷٪ است. حسگر کرنش انعطاف پذیر مبتنی بر نانوسیم های فلزی دارای حساسیت کرنش ۲۰ (۱۰۰ برابر کرنش سنج فلزی)، محدوده کرنش ۱۰۰٪ و تکرارپذیری ۱۰۰۰۰ چرخه است. نانوسیم اکسید قلع حساسیت ۱۰۰ به گاز NO₂ در غلظت ۱ پی پی ام و حد تشخیص ۰/۱ پی پی ام دارد. شتاب سنج MEMS خازنی با ابعاد ۳×۳ میلی متر، حساسیت ۰/۵ پیکوفاراد بر g و محدوده ±۵۰ g عمل می کند. میکروفون MEMS با ابعاد ۱×۱×۰/۳ میلی متر، حساسیت -۴۲ دسی بل، نسبت سیگنال به نویز ۶۰ دسی بل و توان مصرفی ۱۰۰ میکرووات دارد. نانوژنراتور تریبوالکتریک با ولتاژ ۵۰۰ ولت و چگالی توان ۱ میلی وات بر سانتی متر مربع، امکان خودتغذیه سازی حسگرها را فراهم می کند. حسگر گلوکز الکتروشیمیایی با محدوده ۲ تا ۳۰ میلی مول بر لیتر، حساسیت ۵۰ نانوآمپر بر میلی مول و خطای ±۵٪، در تجهیزات پزشکی قندی کاربرد دارد. LVDT با محدوده ±۱۰ میلی متر، خطی بودن ۰/۵٪ و رزولوشن ۰/۱ میکرومتر، برای اندازه گیری جابه جایی دقیق استفاده می شود. نتیجه گیری نهایی حاکی از آن است که ترانسدیوسرها به سمت هوشمندسازی (حسگر-پردازنده-فرستنده یکپارچه)، انعطاف پذیری (پوشیدنی ها)، خودتغذیه شدگی (برداشت انرژی)، زیست تخریب پذیری (ایمپلنت های موقتی)، و تشخیص در حد تک مولکول با استفاده از مواد دوبعدی و نانوساختارها حرکت می کنند. پیشنهادهای ده گانه شامل توسعه ی ترانسدیوسرهای مبتنی بر مواد دوبعدی برای تشخیص تک مولکولی، ترانسدیوسرهای خودتغذیه شونده از چند منبع انرژی، یکپارچه سازی MEMS و CMOS روی یک تراشه، ترانسدیوسرهای زیست تقلیدی (پوست و چشم مصنوعی)، ترانسدیوسرهای قابل کاشت با زیست تخریب کنترل شده، ترانسدیوسرهای چاپ سه بعدی سفارشی، ترانسدیوسرهای مبتنی بر یادگیری ماشین روی تراشه (TinyML)، استانداردسازی تست در شرایط محیطی متغیر، پایگاه داده باز از عملکرد و شکست، و آموزش تخصصی میان رشته ای ارائه شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علیرضا محمودی فرد
دکترای حرفه ای هوش مصنوعی و مدرس دانشگاه ملی مهارت، تهران، ایران
سید محمدرضا حسینی علی آباد
استاد دانشگاه های ملی و بین المللی، گروه مجموعه مدیریت، علوم پایه و مهندسی