مبدل های ولتاژی از توپولوژی های کلاسیک تا سیستم های هوشمند: تحلیل جامع اصول عملکرد، فناوری های نیمه هادی پیشرفته، روش های کنترل و چشم انداز آینده با مروری بر داده های تجربی
محل انتشار: کنگره سالانه علوم و فناوری های پیشرفته مهندسی هوافضا، رباتیک، نانو و انرژی های تجدیدپذیر
سال انتشار: 1404
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 46
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCARNR01_105
تاریخ نمایه سازی: 24 خرداد 1405
چکیده مقاله:
مبدل های ولتاژی به عنوان قلب تپنده ی الکترونیک قدرت مدرن، نقش بی بدیلی در تبدیل سطح ولتاژ با راندمان بالا، ابعاد کوچک و قابلیت اطمینان مطلوب در کاربردهایی از منابع تغذیه و خودروهای الکتریکی تا انرژی تجدیدپذیر و تجهیزات پزشکی ایفا می کنند. این مقاله به بررسی جامع اصول عملکرد، توپولوژی های اصلی (کاهنده، افزاینده، کاهنده-افزاینده، فلای بک، فوروارد، تشدید، چندسطحی، دوطرفه و منبع امپدانس)، فناوری های نیمه هادی (سیلیکون، کاربید سیلیسیم و نیترید گالیم)، روش های کنترل (آنالوگ، دیجیتال، تطبیقی و هوشمند) و کاربردهای مبدل های ولتاژی می پردازد. بر اساس داده های تجربی، مبدل کاهنده ۴۸/۱۲ ولت ۵۰۰ وات با ماسفت نیترید گالیم دارای راندمان ۹۷٪، چگالی توان ۵ کیلووات بر لیتر و فرکانس سوئیچینگ ۵۰۰ کیلوهرتز است که نسبت به نوع سیلیکونی بهبود ۳٪ در راندمان، ۳/۳ برابر چگالی توان و ۵ برابر فرکانس را نشان می دهد. مبدل دوطرفه ۵۰ کیلووات برای خودروهای الکتریکی با کاربید سیلیسیم، راندمان ۹۸/۲٪ و چگالی توان ۲/۵ کیلووات بر لیتر دارد. مبدل تشدید با سوئیچینگ نرم، تلفات سوئیچینگ را تا ۸۰٪ کاهش و نویز EMI را ۲۰ دسی بل نسبت به نوع سخت سوئیچ کم می کند. مبدل چهارفاز فاز-متقاطع، چگالی توان را ۲/۷ برابر افزایش و ریپل جریان ورودی را ۵ برابر کاهش می دهد. مبدل منبع امپدانس (Z-source) حجم و هزینه را ۲۰٪ با حذف مبدل DC-DC مجزا کاهش می دهد. مبدل فلای بک ۱۰۰ وات با راندمان ۹۰٪، سادگی و هزینه ی پایین، برای توان های پایین (زیر ۱۵۰ وات) بسیار مناسب است. کنترل مد لغزشی دیجیتال، زمان پاسخ به پله بار را از ۵۰۰ میکروثانیه به ۱۰۰ میکروثانیه (۵ برابر سریع تر) و ریپل ولتاژ را از ۵۰ میلی ولت به ۲۰ میلی ولت کاهش می دهد. نتیجه گیری نهایی حاکی از آن است که مبدل های ولتاژی به سمت توپولوژی های هوشمند، فرکانس فوق بالا (چند مگاهرتز)، یکپارچه سازی مغناطیسی و نیمه هادی های نسل جدید (الماس، Ga۲O۳) حرکت می کنند و آینده ی آن ها به پیشرفت در بسته بندی سه بعدی، خنک کنندگی مستقیم، کنترل مبتنی بر یادگیری ماشین و استانداردسازی برای صنعت ۴/۰ وابسته است. پیشنهادهای ده گانه شامل توسعه ی مبدل های با ترانزیستورهای الماس و Ga۲O۳، یکپارچه سازی سه بعدی با خنک کنندگی مایع مستقیم، مبدل های تشدید با فرکانس خودتطبیق، مبدل های مدولار قابل اتصال پویا، یکپارچه سازی مغناطیسی، کنترل مبتنی بر یادگیری تقویتی، مبدل های فوق خطی و کم نویز برای کاربردهای پزشکی، استانداردسازی تست برای خودروهای الکتریکی و شبکه های هوشمند، پایگاه داده ی باز از عملکرد و شکست، و آموزش تخصصی میان رشته ای ارائه شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علیرضا محمودی فرد
دکترای حرفه ای هوش مصنوعی و مدرس دانشگاه ملی مهارت، تهران، ایران
سید محمدرضا حسینی علی آباد
استاد دانشگاه های ملی و بین المللی، گروه مجموعه مدیریت، علوم پایه و مهندسی