بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InAs در میدانهای الکتریکی ضعیف
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,269
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC84_082
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1385
چکیده مقاله:
در این مقاله تحرک پذیری الکترونها در نیمرسانای InAs با حل مستقیم معادله ترابری بولتزمن به روش تکرار محاسبه و بستگی تحرک پذیری به دما و اتمهای یونیده مطالعه و با نیمرسانای GaAs مقایسه شده است . در محاسبه تحرک پذیری پراکندگی از فونونهای اکوستیکی پتانسیل تغییر شکل ، پیزوالکتریک ، اتمهای یونیده و فونونهای اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیرسهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است .
محاسبات ما نشان می دهد که تحرک پذیری الکترونها در دماهای بالاتر از 50 K به دلیل افزایش آهنگ پراکندگی از فونونها به شدت کاهش می یابد و در دماهای پایین اثر غالب در کاهش تحرک پذیری ناشی از پراکندگی از مراکز ناخالصی است . نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه با تقریب زمان واهلش که در مقالات منتشر شده مقایسه شده است و توافق خوبی بین نظریه و تجربه را نشان می دهد
نویسندگان
امیرمسعود صادقی
دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود
محمدابراهیم قاضی
دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود
هادی عربشاهی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار، سبزوار