شبیه سازی ترابرد الکترونها در ترانزیستور اثر میدان SiGe برای کاربرد در توان و بهره بالا
محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,363
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_121
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
چکیده مقاله:
شبیه سازی مونتو کارلو برای ترابرد الکترونها در حالات پایدار و نا پایدار ترانزیستور اثر میدان ساخته شده از ماده SiGe انجام پذیرفته است . مشخصه های ترابرد برای ترانزیستور شبیه سازی شده توافق خوبی را با نمونه های آزمایشگاهی نشان می دهد . همچنین پاسخ فرکانسی ترانزیستور بررسی و I-V الکترونها و نمودار مقدار بهره جریانی از مرتبه 90±10 GHz برای آن بدست آمده است
نویسندگان
هادی عربشاهی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار