هادی عربشاهی - گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار

شبیه سازی مونتو کارلو برای ترابرد الکترونها در حالات پایدار و نا پایدار ترانزیستور اثر میدان ساخته شده از ماده SiGe انجام پذیرفته است . مشخصه های ترابرد برای ترانزیستور شبیه سازی شده توافق خوبی را با نمونه های آزمایشگاهی نشان می دهد . همچنین پاسخ فرکانسی ترانزیستور بررسی و I-V الکترونها و نمودار مقدار بهره جریانی از مرتبه 90±10 GHz برای آن بدست آمده است