محاسبه ساختار باند بلورهای فوتونی یک بعدی با پایه های پیچیده

در این کار ساختار نوار بلور فوتونی یک بعدی با پایه های پیچیده با استفاده از روش ماتریس انتقال محاسبه شده است . بلورهای فوتونی یک بعدی نوعی که در اغلب مقالات مورد بررسی قرار گرفته اند از دو لایه تشکیل شده اند، که در آن ثابت دی الکتریک و عرض لایه ها متفاوت می باشند . از نقطه نظر کاربردی موقعیت و پهنای نوار ممنوعه از اهمیت زیادی برخوردار است . بناب راین در این مقاله، هدف مطالعه تغییراتی است که در اثر اضافه کردن لایه سوم به بلور فوتونی نوعی ایجاد می شود و انتظار می رود بتوان با بهره گیری از این ساختار سه لایه ای موقعیت و پهنای نوار ممنوعه را طراحی و کنترل کرد . ما ابتدا رابطه پاشندگی تحلیلی وابسته به امواج الکترومغناطیسی از نوع عرضی - مغناطیسی TM را برای بلور فوتونی که در آن سلول واحد شامل سه لایه است، بدست می آوریم و با استفاده از روشهای عددی نتایج محاسبه ساختار نواری بلور فوتونی ارائه خواهد شد