اثر میدان مغناطیسی بر پذیرفتاری الکتریکی در شیشه ها در دمای پایین
محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,535
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_008
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
چکیده مقاله:
آزمایشهای انجام گرفته اخیر بر روی شیشه ها در دمای پایین در حضور میدان مغناطیسی نشان از تغییرات دور از انتظاری در توابع پاسخ شیشه ها نسبت به تغییر میدان مغناطیسی داشته است . در این مقاله به بررسی اثر میدان مغناطیسی بر پذیرفتاری الکتریکی در شیشهها در دمای پایین پرداختهایم . اثر میدان مغناطیسی با اعمال ممان چهارقطبی هسته مورد مطالعه قرار گرفته است . نتایج بهدست آمده نشان از تغییر پذیرفتاری الکتریکی به صورت B 2 در میدان مغناطیسی کوچک و1/ B برای میدان مغناطیسی بزرگ دارد .
نویسندگان
علیرضا اکبری
مرکز تحصیلات تکمیلی در علوم پایه زنجان ، زنجان، ایران
درو بودا
دانشکده فیزیک، دانشگاه بابز بولیای، رومانی
عبدالله لنگری
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، ایران