بررسی اندازه دانه ها، ساختار بلوری و تنش لایه های نانو بلوری اکسید روی لایه نشانی شده به روش کند و پاش RF

سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 3,081

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCV02_008

تاریخ نمایه سازی: 20 بهمن 1385

چکیده مقاله:

لایههای نازک اکسید روی بر روی زیر لایههای شیشه با روش کند و پاش RF لایه نشانی شده است. لایه نشانی در حضور پلاسمای گاز آرگون با خلوص (99.99%) و بدون گرمادهی زیر لایهها با تغییر توان RF از 50 تا 350 انجام شده است. آنالیز پراش اشعه XRD) x ) برای بررسی ساختار بلوری و آنالیز میکروسکوپ الکترونی( SEM) برای بررسی ساختار سطحی لایههای نانو بلوری اکسید روی مورد استفاده قرار گرفته است. اندازة دانههای لایههای اکسید روی از nm 8 تا nm 20 تغییر میکند. استرس مربوط به زمان لایه نشانی لایههای اکسید روی که با توان 150 وات لایه نشانی شدهاند نزدیک صفر میباشد همچنین اندازة دانههای اکسید روی مربوط به توان 150 وات بیشترین مقدار یعنی حدود 26nm بدست آمده است. طیفXRD وات لایه 100 تا 200 وات لایه نشانی شده اند، تنها پیک ( 002 ) ساختار ورتزایت اکسید روی را نشان میدهد که بیانگر کیفیت بالای بلوری این لایه ها است.

نویسندگان

بهزاد اسفندیارپور

آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک

فاطمه دهقان نیری

آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک

سعیده ابراهیمی

آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک

ابراهیم اصل سلیمان

آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • P. H. Holloway, T. A. Trottier, B. Abrams, C. Kondoleon, ...
  • T. Yamamoto, T. Shiosaki, and A. Kawabata, _ C haracteri ...
  • E. M. C. Fortunato, P. M. _ Barquinha, A.C. M. ...
  • H. S. Bae and S.Im, ،ZnO-based thin-film transistors of optimal ...
  • R. L. Hoffman, «ZnO-channel thin-film transistors: Channel mobi lity, Journual ...
  • K. B. Sundaram and A. Khan, ،، C h aracterization ...
  • Jin-Hong Lee, Kyung-Hee Ko and Byung-Ok Park, ، Electrical and ...
  • Y. Natsume and H. Sakata, ،، Zinc oxide films prepared ...
  • Y.M. Lu, W.S. Hwang, W.Y. Liu, and J.S. Yang, «Effect ...
  • نمایش کامل مراجع