ElectricalC haracteristicso f DoubleG ateS OI MOSFET with Metal Source/Drain
محل انتشار: پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,216
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE15_397
تاریخ نمایه سازی: 17 بهمن 1385
چکیده مقاله:
We have stutlied the electrical characteristics of a Schottlcy Barrier Double Gate SOI MOSFET (SB-DG-SOI-MOSFET). This structure can operate both in accumulation and inversion mocle and the main current mechanism for this device is tr,tnneling. As Schottlcy barrier height becomes smaller in highly scalecl (SB-DG_ SOI-MOSFET), its performance improves over a similar structure having doped source/drain.
کلیدواژه ها:
Double Gate SOI MOSFET. Drain Induced Barrier Thinning ، Electrical characteristics ، Gate Induced Drain Leakage ، Schottky Source Drain MOSFET