ویژگی های نیمه هادی گالیم نیترید
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,301
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EOESD01_282
تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1393
چکیده مقاله:
تکنولوژی نیمه هادی مدرن منجر به تغییرات مناسب قطعات می شود و نقش مهمی را در زندگی روزمره ایفا می کند . اساس ساخت پردازشگرها و تمام دستگاه هایی که به نحوی اطلاعات و عملیاتی را پردازش می کنند، از کامپیوتر شخصی گرفته تا دستگاه های عکس برداری پزشکی و ... نیمه هادی هاست.قطعات مبتنی بر نیمه هادی های گروه 3 به ویژه نیمه هادی GaN به دلیل خواص ذاتی ماده , نوید قطعاتی با قدرت بالا , فرکانس بالا و توان مصرفی پایی را می دهد . ای مقاله به بررسی ویژگی های نیمه هادی گالیم نیترید در قطعات می پردازد .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
پریسا اسماعیلی
دانشجوی کارشناسی ارشد نانوالکترونیک
کریم عباسیان
استاد دانشگاه تبریز
غلامرضا کیانی
استاد دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :