سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بهبود مشخصات آنتن پچ میکرواستریپ با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه دو بعدی

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 4,041

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE15_111

تاریخ نمایه سازی: 17 بهمن 1385

چکیده مقاله بهبود مشخصات آنتن پچ میکرواستریپ با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه دو بعدی

در این مقاله آنتن با بهره بالا را با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه طراحی و شبیه سازی کرده ایم. طرح نهایی آنتن که از ترکیب انتن پچ میکرواستریپ به عنوان تشعشع کننده اصلی وساختار باند ممنوعه لایه بالایی آنتن تشکیل می شود، با استفاده از نرم افزار Ansoft Designer شبیه سازی شده است. با استفاده از چنین روشی می توان مشخصات تشعشعی انتن مانند پهنای باند و بهره تشعشعی آنتن را بالا برد. ما در این مقاله اینبهبود را برای آنتن در باند ku اعمال کرده ایم. نتایج نهایی نشان می دهد که می توان با اعمال این تغییرات بر آنتن که ابلته باعث بالا رفتن ارتفاع نهایی آنتن می گردد، بهره را 8Db و پهنای باند ار 1/7% افزایش داد. یکی از مزایای روش پیشنهادی این است که می توان فرکانسهای کاری نهایی آنتن را با تنظیم پارامترهای مربوط به ساختار های باند ممنوعه و نیز آنتن پچ میکرواستریپ در هر باند دلخواهی طراحی نمود. در عین حال با استفاده از ساختار باند ممنوعه وسیعتر، می توان به بهره های بالاتری نیز دست یافت.

کلیدواژه های بهبود مشخصات آنتن پچ میکرواستریپ با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه دو بعدی:

آنتنهای با بهره بالا ، آنتن پچ میکرواستریپ ، ساختارهای باندممنوعه و فرکانسهای اختلال و رزونانس

نویسندگان مقاله بهبود مشخصات آنتن پچ میکرواستریپ با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه دو بعدی

فرشاد کشمیری

دانشکده برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران، مرکز تحقیقات مخ

مجید طیرانی

دانشکده برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
A. Pirhadi, M. Hakkak and F. Keshmiri, "Using E lectromagetic ...
F. Keshmiri, A. Pirhadi, and M. Hakkak, «Design of Dual-band ...
F. Keshmiri, and M. Tayarani, ،$Bandwidth Enhancement of a Dual ...
Y. J. Lee, J. Yeo, R. Mittra, and W. S. ...
S. Enoch, G. Tayeb, and B. Gralak, ،"The Richness of ...
Y. J. Lee, J. Yeo, K. D. Ko, and R. ...
c. Cheype, C. Serier, M. Thevenot, and T. Monediere, A. ...
Y. J. Lee, J. Yeo, R. Mittra, and W. S. ...
Using؛ [13] F. Keshmiri, and M. Tayarani, E lectromagnetic Bandgap ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "بهبود مشخصات آنتن پچ میکرواستریپ با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه دو بعدی" توسط فرشاد کشمیری، دانشکده برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران، مرکز تحقیقات مخ؛ مجید طیرانی، دانشکده برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران نوشته شده و در سال 1386 پس از تایید کمیته علمی پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله آنتنهای با بهره بالا ، آنتن پچ میکرواستریپ ، ساختارهای باندممنوعه و فرکانسهای اختلال و رزونانس هستند. این مقاله در تاریخ 17 بهمن 1385 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 4041 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله آنتن با بهره بالا را با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه طراحی و شبیه سازی کرده ایم. طرح نهایی آنتن که از ترکیب انتن پچ میکرواستریپ به عنوان تشعشع کننده اصلی وساختار باند ممنوعه لایه بالایی آنتن تشکیل می شود، با استفاده از نرم افزار Ansoft Designer شبیه سازی شده است. با استفاده از ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بهبود مشخصات آنتن پچ میکرواستریپ با استفاده از ساختارهای باند ممنوعه دو بعدی با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.