شبیه سازی مونت کارلو از خواص ترابرد الکتریکی GaN تحت تاثیر میدان الکتریکی شدید

سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,279

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC85_157

تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385

چکیده مقاله:

در این مقاله خواص ترابرد الکترون در ساختار وورتسایت GaN در محدوده دمایی 300-600 K با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو مطالعه شده است . در این پژوهش میدان الکتریکی در دو GaN ( بصورت غیر سهموی و بیضوی فرض شده اند . در محاسبة ترابرد الکترون در ساختار وورتسایت Γ, U,K ( سه درة مهم نوار هدایت و عمود بر آن بررسی شده است . تحقیقات انجام شده نشان می دهد که با افزایش دما به دلیل افزایش آهنگ پراکندگی، ماکزیمم سرعت سوق در C جهت موازی محور . بررسی شده است GaN میدانهای بالاتر، کاهش می یابد . همچنین در این مقاله بستگی تحرک پذیری الکترونها به دما و چگالی اتمهای ناخالصی در ساختار وورتسایت تحقیقات انجام شده نشان می دهد که تحرک پذیری الکترونها در دماهای بالاتر به دلیل افزایش آهنگ پراکندگی به شدت کاهش یافته و در دماهای پایین کاهش تحرک پذیری ناشی از اثر غالب تحرک پذیری از مراکز ناخالصی است . نتایج محاسبات با اندازه گیریهای انجام گرفته و دیگر دادهای منتشر شده در سایر مقالات مقایسه شده است و در توافقخوبی با آنها است

نویسندگان

آزاده سادات نعیمی

گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار

میترا بقال نژاد

گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار

هادی عربشاهی

گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار