پیش تقویت کننده کاملا متعادل با هدایت انتقالی بهبود یافته بر پایه بافر ولتاژ تاخورده
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 31
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-54-1_014
تاریخ نمایه سازی: 16 دی 1404
چکیده مقاله:
در این مقاله یک پیش تقویت کننده کاملا متعادل با بهره بالا ارائه شده است. در ساختار پیشنهادی از بافر ولتاژ تاخورده استفاده شده تا یک ناقل جریان کوچک با امپدانس ورودی بسیار کم حاصل شود. سپس، این ناقل جریان به عنوان المان اصلی برای تحقق یک تقویت کننده تراهدایتی با بهره بالا و هدایت انتقالی بهبود یافته استفاده می شود. تقویت کننده ارائه شده برای استفاده به عنوان پیش تقویت کننده مناسب است. بهره بالای تقویت کننده، آن را برای استفاده در ساختار حلقه بسته برای رسیدن به دقت بالا یا قابلیت برنامه ریزی بسیار مناسب می سازد. ساختار پیشنهادی توان بسیار کم ۱۵۰ نانووات را از ولتاژ تغذیه ۰.۶ ولت مصرف می کند. جانمایی مدار و شبیه سازی آن در فناوری TSMC ۱۸۰nm CMOS انجام شده است. بهره حلقه باز تقویت کننده ۱۴۱.۵ دسی بل بوده و در حلقه فیدبک با بهره ۶۰ دسی بل، پهنای باند فرکانسی حدود ۲.۴ کیلوهرتز را نشان می دهد. اندازه خازن بار ۵ پیکوفاراد انتخاب شده است. در ساختار پیشنهادی نسبت رد حالت مشترک و نسبت رد ولتاژ تغذیه به ترتیب برابر ۱۴۸.۳ دسی بل و ۱۵۳.۷ دسی بل است.
کلیدواژه ها:
بافر ولتاژ تاخورده ، توان پایین ، ولتاژ پایین ، تقویت کننده تراهدایتی ، ناقل جریان نسل دوم ، پیش تقویت کننده
نویسندگان
حسن فرجی بگتاش
Faculty of Electrical Engineering, Sahand University of Technology, Sahand New Town, Tabriz ۵۳۳۱۸۱۷۶۳۴, Iran
M. Kargar
Iranian Space Research Center (ISRC), Tehran, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
