طراحی و شبیه سازی سلول حافظه دسترسی تصادفی ایستا با توان مصرفی پایین مبتنی بر ترانزیستور فین فت

ترانزیستور های اثر میدان (فین فت) به دلیل توانایی بالقوه در کنترل اثرات کانال کوتاه، جریان نشتی، تاخیر انتشار و اتلاف توان، جایگزین مناسبی برای ترانزیستور های معمولی فلزی-اکسید-نیمه هادی (ماسفت) می باشند. با توجه به اینکه حافظه های ایستا با دستیابی تصادفی، بیشترین فضای پردازنده های پیشرفته را اشغال می کنند، لذا عمده مصرف توان این پردازنده ها به این حافظه ها اختصاص می یابد. در سلول حافظه ایستا ۶ ترانزیستوری رایج، هنگام خواندن و نوشتن، خازن های مربوط به خطوط بیت هردو باید بارگیری و تخلیه شوند. بنابراین قسمت عمده ای از مصرف توان، مربوط به این ساز و کار می باشد. در این تحقیق یک سلول حافظه ۷ ترانزیستوری با استفاده از ترانزیستورهای فین فت با قابلیت نوشتن با استفاده از یکی از خطوط بیت پیشنهاد شده است. نتایج شیبه سازی با استفاده از نرم افزار اچ اس پایس و در فناوری ۳۲ نانومتر نشان می دهد که مصرف توان این سلول در هنگام نوشتن زمانی که در سلول مقدار "۰" ذخیره شده است، حداکثر به میزان %۶/۹۸ و هنگامی که در سلول مقدار "۱" وجود دارد، به میزان %۸/۹۹ کاهش داشته است. همچنین میزان حاشیه امنیت در برابر نویز در حالت های آماده به کار و خواندن سلول به ترتیب برابر با ۲۰۲۵/۰ و ۲۰۱۱/۰ ولت می باشد.

کلیدواژه ها:

سلول حافظه ایستا ، دسترسی تصادفی ، ترانزیستور فین فت ، مصرف توان