شبیه سازی و تحلیل خواص الکترونی نانوساختارهای ناهمگون Si۲BN

هدف این پژوهش بررسی این موضوع است که آیا ساخت نانو نوارها یا ایجاد ساختارهای ناهمگون می تواند عاملی برای باز شدن گاف نوار الکترونی این ترکیب باشد یا خیر. این کار در چارچوب نظریه تابعی چگالی با تقریب های نظیر PBE و LDA مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات توسط روش امواج تخت بهبودیافته و با نرم افزار کوانتوم اسپرسو انجام شده است. گونه جدیدی از شبکه های گرافن گونه هگزاگونالی با پیوند sp^۲ شامل عناصر Si ،B و N نیز وجود دارد که دارای پیوند کووالانسی درون لایه ای و پیوند واندروالسی میان لایه ای هستند. خواص ساختاری، الکترونی ترکیب Si_۲BN دلالت بر رفتار فلزی این ترکیب دارد. از آنجایی که حرکت الکترون ها در Si_۲BN سرعت بالایی دارد، این ویژگی در تولید آند بسیار مفید است. ترکیب این ویژگی ها موجب می شود تا نفوذ یون در آن به خوبی انجام شده و از آن بتوان برای تولید باتری استفاده کرد. شارژ و تخلیه در این آند ها، با سرعت بالایی انجام می شود. نتایج شبیه سازی ها و محاسبات این پژوهش می تواند به محققان کمک کند تا از این ماده برای ساخت آند باتری استفاده کنند.

کلیدواژه ها:

نظریه تابعی چگالی ، نانوساختار ، ساختار ناهمگون ، ترکیب Si۲BN.