طراحی تقویت کننده توان باند X با ترانزیستور ساختار Die با بازدهی و توان خروجی بالا برای رادارهای دریایی
محل انتشار: فصلنامه علوم و فناوری دریا، دوره: 29، شماره: 115
سال انتشار: 1404
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 41
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_MSTJ-29-115_002
تاریخ نمایه سازی: 26 آذر 1404
چکیده مقاله:
مگنترون ها مدت هاست که به عنوان دستگاه های تقویت کننده توان برای رادارهای دریایی مورد استفاده قرار می گیرند، با این حال، ترانزیستورهای GaN با ساختار Die به دلیل عمر طولانی، بازده بالا، کوچکی ساختار و مطابقت با قوانین و مقررات رادیویی به طور فزاینده ای مورد استفاده قرار می گیرند. در این مقاله یک تقویت کننده توان با بازدهی و توان خروجی بالا در باند X با استفاده از ترانزیستور GaN ساختار Die به منظور استفاده در سیستم های ارتباطات دریایی طراحی شده است. توان خروجی و بازدهی تقویت کننده در P۱dB تحت سیگنال ورودی CW به ترتیب ۶۲ وات و ۵۳% است. این تقویت کننده دارای فرکانس مرکزی GHz ۳/۱۱ و پهنای باند MHz ۵۰۰ و بهره به دست آمده dB ۵/۱۰ است. برای کاهش تلفات و ابعاد تقویت کننده از زیرلایه با ثابت دی الکتریک بالا استفاده شده است که ابعاد کلی مدار ۸×۱۵ میلی متر مربع به دست آمد.
نویسندگان
سید محمد صادق احمدی
دانشجوی دکتری دانشگاه خواجه نصیر الدین طوسی
رمضانعلی صادق زاده
استاد دانشکده مهندسی برق- دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی
محمد رضا سهیلی فر
عضو هیئت علمی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
