شبیه سازی طیف جذب پرتو ایکس در لایه های نازک اکسید روی خالص و آلائیده با ناخالصی آلومینیوم و گالیوم با استفاده از محاسبات نظریه تابعی چگالی

اکسید روی یک نیمه هادی به دلیل کاربردهای تکنولوژیکی بالقوه آن بسیار مورد توجه قرار گرفته است. با استفاده از روش هایی مانند سل-ژل به روش هیدروترمال و کندوپاش می توان لایه های نازک اکسید روی با ناخالصی مانند اتم های آلومینیوم و گالیوم تهیه کرد. برای بررسی وجود آلائیده ها در ساختار اکسید روی می توان از طیف جذب پرتو ایکس استفاده کرد. طیف سنجی جذب پرتو ایکس یک تکنیک تجربی مفید برای بررسی ساختار الکترونیکی و هندسی در محیط های مولکولی مختلف است. در این تحقیق، طیف جذب پرتو ایکس را برای اکسید روی خالص و آلائیده با ناخالصی آلومینیوم و گالیوم با K-edge در اتم های اکسیژن، روی، آلومینیوم/ گالیوم با استفاده از محاسبات نظریه تابعی چگالی شبیه سازی شدند. نشان داده شد که وجود ناخالصی ها در ساختار اکسید روی باعث تغییر در موقعیت و شدت قله ها طیف جذب پرتو ایکس می شوند.

کلیدواژه ها:

طیف جذب پرتو ایکس ، اکسید روی ، نظریه تابعی چگالی ، آلومینیوم ، گالیوم