بررسی اثر عملیات حرارتی بر ساختارنانوکریستالی اکسید روی انباشت شده بر بسترسیلیکون

در این کار تحقیقاتی تاثیر عملیات حرارتی بر ساختار بلوری، جهت گیری و مورفولوژی فیلم اکسید روی انباشت شده بر روی بستر سیلیکون تک کریستالی نوع p با روش سل-ژل و فرآیند اسپین چرخشی مورد بررسی قرار گرفت. فیلم اکسید روی دارای ساختار پلی کریستالی با رشد ترجیحی در امتداد صفحه (۱۰۰) است. تجزیه و تحلیل پراش اشعه ایکس از لایه نازک اکسید روی رشد داده شده اوج پراش اکسید روی صفحه (۰۰۲) در زاویه ° ۳۹۸/۳۴ را نشان داد. فیلم های اکسید روی با فرآیند عملیات حرارتی بهبود یافت. بهترین دمای بازپخت برای هر مرحله پوشش دهی ۲۵۰ سانتیگراد و دمای کوره ۶۰۰ سانتیگراد تعیین شد. با عملیات حرارتی تغییرات مهمی در ساختار کریستالی لایه های اکسید روی و ناخالصی های کربن و نیتروژن کاملا حذف شد.

کلیدواژه ها:

لایه نازک اکسید روی ، فرآیند سل-ژل ، دمای بازپخت ، لایه نازک ، پراش اشعه ایکس