New Design 1-Bit Full Adder Using GDI and MOSCAP
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی مهندسی برق اصفهان
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,056
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISFAHANELEC01_086
تاریخ نمایه سازی: 23 اسفند 1392
چکیده مقاله:
In this paper, we present a new 1-bit full adder cell design with two separate parts, one of them is GDI block andother is majority block that lead to have a reduced power-delay product (PDP). All of the capacitors in this paper replaced with MOSCAP. the new adder cell is simulated at tsmc 0.18 um coms technology. using HSPICE and compared against other energy-efficient full-adders reported recently
کلیدواژه ها:
نویسندگان
S Araghian
Sadjad institute of higher education of Mashhad, Iran
H.R. Naghizadeh
Sadjad institute of higher education of Mashhad, Iran.
A Golmakani
Sadjad institute of higher education of Mashhad, Iran