بهبود مشخصه های دی سی و فرکانسی ترانسیستور لایه نازک گرافنی

در این تحقیق، به بهبود مشخصه های DC و فرکانسی ترانزیستور لایه نازک گرافنی پرداخته شده است. هدف اصلی، بررسی امکان جایگزینی گرافن به جای سیلیکون در ساختار ترانزیستورهای لایه نازک به منظور غلبه بر محدودیت های ناشی از اثرات کوتاه کانال است. به دلیل خواص الکترونیکی مطلوب، گرافن یکی از مناسب ترین گزینه ها برای جایگزینی ترانزیستور سیلیکانی محسوب می شود. در این مطالعه، ابتدا یک ترانزیستور لایه نازک گرافنی استاندارد با استفاده از نرم افزار Silvaco طراحی و شبیه سازی شده است. سپس، تاثیر پارامترهایی مانند ضخامت کانال، میزان و پروفایل ناخالصی و تعداد لایه های گرافنی بر مشخصه های ولتاژ-جریان (I-V) مورد بررسی قرار گرفته است. در ادامه، با اصلاح ساختار و بهینه سازی پروفایل ناخالصی، ترانزیستوری با عملکرد بهبود یافته ارائه گردیده است که جریان کاتد بالاتری تولید می کند. نتایج حاصل، قابلیت گرافن را در طراحی ترانزیستورهای نسل آینده تایید می کنند و گامی مهم در جهت توسعه افزاره های نیمه هادی جدید محسوب می شوند.

کلیدواژه ها:

دی سی ، ترانزیستور ، گرافن ، لایه نازک ، مدل سازی.