شبیه سازی نانو ترانزیستور اثر میدان نانونوار گاما گرافاین

در این پژوهش ویژگی‫های الکترونیکی نانو نوارهای گرافاین گاما مورد بررسی قرار گرفته و یک نانو ترانزیستور بر پایه آن طراحی و شبیه‫سازی شده است. در محاسبات از روش نظریه تابعی چگالی و تابع گرین غیر تعادلی  به کمک بسته محاسباتی Quantum ATK استفاده شده است. نتایج بدست آمده از ساختار نواری و چگالی حالت‫های الکترونی نشان دهنده رفتار شبه فلزی و نیمه رسانایی نانو نوارها براساس شکل لبه آن‫ها است. ترانزیستور اثر میدانی با کانال نانو نوار دسته مبلی گاما طراحی شده و منحنی‫های مشخصه آن بدست آمده است. نتایج نشان می‫دهد که جریان‫دهی این ترانزیستور در مقایسه با ترانزیستور گرافنی بسیار بیشتر است. شبیه سازی‫ها نشان می‫دهد که جریان در ترانزیستور گرافاین گاما بخوبی با ولتاژ گیت کنترل می‫شود.

کلیدواژه ها:

nano transistor ، field effect transistor ، gamma graphyne ، density function theory ، +نانو ترانزیستور ، ترانزیستور اثر میدانی ، نظریه تابعی چگالی ، گاما گرافاین ، نانو نوار