چگالی حالات و ساختار الکترونی InSb با رویکرد محاسباتی کوانتوم اسپرسو

در این مطالعه با استفاده از نظریه ی تابعی چگالی برای نیمه رسانای InSb به مطالعه و بررسی جامع ویژگی الکترونیکی ایندیم آنتیموان پرداخته شده است. چگالی حالات کل DOS و چگالی حالات جزئی PDOS بررسی شده است. همچنین، سهم اوربیتال های اتمی فردی در ساختار اتمی بررسی شد و، علاوه بر این، ساختار نواری و پخش الکترونی آن مشخص شده است. به علاوه، با محاسبات و شبیه سازی، سطوح فرمی در این بلور مشخص شده است و ویژگی های مهمی از ساختار الکترونیکی را پدیدار می کند. این نکات بستری را برای مبنای نظری به منظور تحقیقات تجربی بیشتر و کاربردهای فناورانه ی دقیق تر فراهم می کند. در این بررسی، ساختار نواری و سطوح فرمی بلور InSb بررسی شده است. بررسی ساختار نواری نشان می دهد که انرژی نوار ممنوعه در حدود ۱۷/۰ الکترون ولت است که با اندازه گیری هایی که از اثر هال به دست آمده هماهنگی خوبی دارد. در این محاسبات از نرم افزار کوانتوم اسپرسو استفاده شده است و نتایج به دست آمده با نتایج آزمایشگاهی مطابقت خوبی دارد.

کلیدواژه ها:

چگالی حالت کل ، چگالی حالت جزئی ، ساختار نواری ، سطح فرمی