شبیه سازی و طراحی سلول خورشیدی پروسکایت بدون سرب Cs۲PtI۶ با استفاده ازCBTS به عنوان لایه هدایت کننده حفره

در این مطالعه، سلول خورشیدی پروسکایت بدون سرب Cs۲PtI۶ (سزیوم پلاتینوم یدید) توسط نرم افزار SCAPS-۱D مورد بررسی قرار گرفت و اثر ضخامت لایه پروسکایت، دما، ودانسیته نقص ها بر پارامترهای فوتوولتاییک بررسی گردید. ساختار سلول خورشیدی پیشنهادی n-i-p بوده و معماری آن به صورت ITo/Tio۲/Cs۲PtI۶/CBTS/Au میباشد. پارامترهای محاسبه شده، ولتاژمدار باز، جریان اتصال کوتاه، ضریب پرشدگی، بازدهی، و بازدهی کوانتومی سلول خورشیدی میباشد. نتایج این تحقیق نشان میدهد افزایش ضخامت لایه پروسکایت تا حدی که از طول نفوذ حامل های بار بیشتر نشود راندمان سلول خورشیدی را ۲۹/۲% افزایش میدهد. همچنین مشخص شد که افزایش ۱۱۰ کلوین دما باعث کاهش راندمان ۱۰/۷ % بازدهی سلول خورشیدی میشود. از سوی دیگر مشاهده شد که افزایش دانسیته نقص در لایه پروسکایت به شدت باعث کاهش بهره وری سلول خورشیدی به میزان ۳۶/۸ % میباشد. این یافته ها اهمیت بهینه سازی مواد و پایداری عملیاتی را در طراحی سلول های خورشیدی پروسکایت بدون سرب کارآمد نشان می دهد.

کلیدواژه ها:

سلول خورشیدی ، پروسکایت بدون سرب ، اسکپس یک بعدی ، بازده کوانتومی