طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز با عدد نویز پایین و بهره بالا در گیرنده های فراباند تکنولوژی CMOS ۰.۱۸ µm

در این مقاله به بررسی و مطالعه در خصوص یک مدار تقویت کننده کم نویز با عدد نویز پایین و بهره باالدر باند فرکانسی GHz ۳.۱ تا GHz ۶.۱ با استفاده از تکنولوژی (ترانزیستور های اکسید فلز-نیمه هادی مکمل) CMOS ۰.۱۸ µm مورد بررسی و مقایسه با کارهای اخیر پرداخته شده است. تقویت کننده کم نویز یک جزء حیاتی در گیرنده های امواج فراباندمی باشد. این مدار در نرم افزار کیدنس طراحی و شبیه سازی شده است. در این طراحی سعی و تالش شده است که با تغییرات مقدار المان های مدار عدد نویز و بهره مدار نسبت به کارهای قبلی بهبود یابد. نتایج شبیه سازی و طراحی این مدار از قبیل عدد نویز و بهره با استفاده از نرم افزار کیدنس بدست آمده است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، عدد نویز ، بهره ، CMOS ۰.۱۸ µm ، ترانزیستور های اکسید فلز-نیمه هادی مکمل ، نرم افزار کیدنس ، فرکانس رادیویی