توصیف ساختاری و بررسی خواص نوری و الکتریکی لایه های نازک نانوساختار CdSe

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,366

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NANOSC02_282

تاریخ نمایه سازی: 27 دی 1385

چکیده مقاله:

در این مقاله لایه های نازک نانوساختار CdSe با روش رسوبگیری از حمام شیمیایی تشکیل شده اند. اثر دمای پخت، مدت زمان پخت و مدت زمان رسوبگیری بر روی گاف انرژی نواری مطالعه شده است. وابستگی دمایی رسانش DC لایه های نانوساختار CdSe مورد مطالعه قرار گرفته است. اندازه نانوبلورها از داده های طرح پراش تخمین زده شده است. نشان داده شده است که می توان با کنترل پارامترهای تهیه گاف انرژی را کنترل نمود.

نویسندگان

محمد الهی

گروه فیزیک - دانشکده علوم - دانشگاه رازی کرمانشاه

نادر قبادی

گروه فیزیک - دانشکده علوم - دانشگاه رازی کرمانشاه