توصیف ساختاری و بررسی خواص نوری و الکتریکی لایه های نازک نانوساختار CdSe

در این مقاله لایه های نازک نانوساختار CdSe با روش رسوبگیری از حمام شیمیایی تشکیل شده اند. اثر دمای پخت، مدت زمان پخت و مدت زمان رسوبگیری بر روی گاف انرژی نواری مطالعه شده است. وابستگی دمایی رسانش DC لایه های نانوساختار CdSe مورد مطالعه قرار گرفته است. اندازه نانوبلورها از داده های طرح پراش تخمین زده شده است. نشان داده شده است که می توان با کنترل پارامترهای تهیه گاف انرژی را کنترل نمود.

کلیدواژه ها:

نانو بلور ، رسوبگیری ، گاف انرژی ، حالتهای جایگزیده