رشدوبررسی خواص نانوساختاری AlNبرSi 111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی
محل انتشار: سومین همایش سراسری کاربردهای دفاعی علوم نانو
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 618
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BSNANO03_070
تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392
چکیده مقاله:
نیترید الومینیوم درشرایط فشاربسیارپایین برزیرلایه سیلیکون 111 دردمای محیط رشدداده شد این فیلم دردماهای مختلف بازپخت شد و خصوصیات ساختاری فیلم با استفاده ازتکنیک های XRD Á AES(Auger electron spectroscopy بررسی شد بررسی های به عمل امده نشان میدهد که فیلم امورف نیتراید الومینیوم برزیرلایه سیلیکون شکل گرفته است و این ویژگی درکناربالا بودن ثابت دی الکتریک آن میتواند ازآن گیت دی الکتریک مناسب به جای اکسیدفرانازک سیلیکون بسازد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فرشته عادل
دانشگاه علوم پزشکی بابل
محمد گرجی
دانشگاه جامع امام حسین (ع)
داود شهابی
دانشگاه جامع امام حسین (ع)
علی اکبر رضایی
دانشگاه جامع امام حسین (ع)
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :