رشدوبررسی خواص نانوساختاری AlNبرSi 111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 618

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

BSNANO03_070

تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392

چکیده مقاله:

نیترید الومینیوم درشرایط فشاربسیارپایین برزیرلایه سیلیکون 111 دردمای محیط رشدداده شد این فیلم دردماهای مختلف بازپخت شد و خصوصیات ساختاری فیلم با استفاده ازتکنیک های XRD Á AES(Auger electron spectroscopy بررسی شد بررسی های به عمل امده نشان میدهد که فیلم امورف نیتراید الومینیوم برزیرلایه سیلیکون شکل گرفته است و این ویژگی درکناربالا بودن ثابت دی الکتریک آن میتواند ازآن گیت دی الکتریک مناسب به جای اکسیدفرانازک سیلیکون بسازد

نویسندگان

فرشته عادل

دانشگاه علوم پزشکی بابل

محمد گرجی

دانشگاه جامع امام حسین (ع)

داود شهابی

دانشگاه جامع امام حسین (ع)

علی اکبر رضایی

دانشگاه جامع امام حسین (ع)

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • . Josh. G, Allon. H, Rong. F. Silicon Vebrically Integrated ...
  • . ABahari, P Morgen and Z S Li, Surf, Sci., ...
  • . P. Scherrer, GottNachr 2 98 (1918). ...
  • . A. Raveh , M. Weiss, M. Pinkas, D.Z. Rosen, ...
  • . Jae J, Jeong Y, Jin H. Phase evolution ...
  • in aluminum nitride thin films On Si(10) prepared by radio ...
  • نمایش کامل مراجع