بررسی تاثیر نقصها و نابجایی های ساختاری بر خواص الکتریکی و نوری نیمهرساناها

نیمهرساناها به عنوان اجزای حیاتی فناوریهای الکترونیکی و اپتوالکترونیکی، به شدت به نظم بلوری و خلوص ساختاری خود وابستهاند. نقص ها و نابجاییهای موجود در ساختار این مواد می توانند به طور قابل توجهی خواص الکتریکی و نوری آنها را تغییر دهند. درک چگونگی تاثیر این عیوب، برای بهینه سازی عملکرد دستگاه های نیمهرسانا امری ضروری است. این پژوهش با رویکرد مروری-تحلیلی، بر مبنای بررسی منابع معتبر علمی بین سال های ۱۹۸۰ تا ۲۰۱۰ انجام شده است. نقصهای نقطه ای، نابجاییهای خطی و مرزهای دانه در سه گروه عمده از مواد نیمه رسانا مورد بررسی تطبیقی قرار گرفتند. نتایج نشان داد که نقصهای نقطه ای، به ویژه vacancy ها و بیننشینی ها، موجب ایجاد مراکز بازترکیب غیرتابشی شده و طول عمر حاملهای بار را کاهش میدهند. نابجایی های خطی، به خصوص در GaN و GaAs، تحرک حاملها را کاهش داده و بازده کوانتومی را افت میدهند.

کلیدواژه ها:

نقصهای ساختاری ، نابجاییهای خطی ، خواص الکتریکی نیمه رساناها ، خواص نوری نیمه رساناها ، مهندسی نقصها