سنتزکننده فرکانسی نوع کسری تمام مجتمع شده در تکنولوژی ۱۸۰ نانومتر CMOS برای باند فرکانسی ISM

در این مقاله یک سنتزکننده فرکانسی نوع کسری کاملا مجتمع شده برای پوشش باند فرکانسی ISM طراحی و شبیه‫سازی شده است. در این مقاله یک تکنیک خطی‫ساز برای مدار شارژ پمپ ارائه شده است که منجر به بهبود خطینگی مدار شارژ پمپ و در نتیجه کل سنتزکننده شده است. سنتزکننده پیشنهادی در تکنولوژی ۱۸۰ نانومتر CMOS با استفاده از ابزار کیدنس شبیه­سازی شده است. نتایج شبیه‫سازی شده از تکنیک ارائه شده در مدار شارژ پمپ نشان می­دهد که خطینگی جریان­های مدار شارژ پمپ حدود ۴۴% بهبود یافته است و در بازه­ی ولتاژ کنترلی ۰.۲-۱.۶ V ، حداکثر ناانطباقی جریانها برابر با ۰.۴ µA می­باشد. بهبود خطینگی جریان­های مدار، باعث کاهش ۲۵ dBc/Hz نویز فاز داخل باند حلقه قفل فاز شده و حساسیت گیرنده را نیز افزایش می­دهد. نتایج شبیه‫سازی شده کل حلقه سنتزکننده نشان می­دهد که زمان قفل حلقه برابر با  ۲ µS، نویز فاز سنتزکننده برای آفست­های فرکانسی ۱ KHz، ۱۰ KHz، ۱۰۰ KHz و ۱ MHz به ترتیب برابر -۶۳ dBc/Hz ، -۹۰ dBc/Hz، -۹۵ dBc/Hz و -۱۰۷ dBc/Hz است و بیشینه توان تن­های کسری ۵۳ dBc پایین­تر از سیگنال حامل است. توان مصرفی سنتزکننده ارائه شده از یک منبع تغذیه ۱.۸ V برابر ۱ mW است.

کلیدواژه ها:

Frequency synthesizer ، phase locked loop ، phase and frequency detector ، dead zone ، ISM-Band ، سنتزکننده فرکانسی ، حلقه قفل فاز ، آشکار ساز فاز و فرکانس ، ناحیه مردگی ، باند ISM