تاثیر دمای بازپخت روی برخی خواص ساختاری ، نوری و الکتریکی لایه های نازک نانو ساختار اکسید روی تهیه شده به روش سل -ژل

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 636

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISSE14_082

تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392

چکیده مقاله:

در این کار تجربی برای تهیه لایه های نازک اکسید روی از روش سل - ژل و غوطه وری استفاده شده است. قبل از بررسی خواص فیزیکی، لایهها تحت عملیات حرارتی قرار گرفتهاند تا کیفیت آنها از لحاظ بلوری بالا رود. لایه ها دارای ضخامت بهینه بوده و در دماهای مختلف بازپخت شده اند و پس از بازپخت، برخی از پارامترهای ساختاری ، نوری و الکتریکی مانند طرح پراش پرتو ایکس ، تصاویر حاصل از میکروسکوپ الکترونی SEM ضریب جذب نوری و ضریب هال برای نمونه هایی که در دماهای مختلف بازپخت شدهاند، بررسی و نتایج باهم مقایسه شدهاند. تحلیل های XRD نشان می دهند که ساختار فیلمهای تهیه شده چند بلوری بوده و فیلمها دارای ساختار نانوکریستالی بوده و با افزایش دمای بازپخت، ساختار فیلمها منظمتر و بلورینگی افزایش و میزان تخلخل ها کاهش مییابد. نتایج حاصل از میکروسکوپ الکترونی SEM بیانگر افزایش بلورینگی و نظم شبکه کریستالی اکسید روی و نیز افزایش اندازه دانهها به دلیل افزایش دمای بازپخت میباشد . اندازه گیری های نوری نشان میدهند که با افزایش دمای بازپخت گاف نوری نمونه ها کاهش یافته اما ضریب جذب نوری افزایش می یابد. همچنین با افزایش دمای بازپخت ضریب هال لایه های تهیه شده کاهش می یابد.

نویسندگان

فرزاد فرامرزی،

تبریز ،دانشگاه تبریز ، دانشکده فیزیک ،گروه فیزیک حالت جامد و الکترونیک

سجاد قاسم بگلی،

تبریز ،دانشگاه تبریز ، دانشکده فیزیک ،گروه فیزیک حالت جامد و الکترونیک

حسن بیدادی

تبریز ،دانشگاه تبریز ، دانشکده فیزیک ،گروه فیزیک حالت جامد و الکترونیک

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • D.C. Look, Recen t advances in ZnO materials and devices, ...
  • M. Suchea, S. Chiritouekis, K. Moschovis, N. Katsarakis, G.Kiriakidis, Th ...
  • P.D.Batista, M.Mulato, App l. Phys. Lett 87, 2005, 143508 ...
  • J.Wienke, B.van der Zadan, X.T issen, M.Zeman, _ Eh ergy. ...
  • K. Park, D. Ma, K. Kim, Thi Solid F ilms ...
  • نمایش کامل مراجع