بررسی مقاومت به خوردگی پوشش های هیدروکسی آپاتیت ایجاد شده به روش الکتروفورتیک

پودر هیدروکسی آپاتیت (HA) با استفاده از روش متانزیس سنتز شد. سوسپانسیون حاوی نانو ذرات (10g/L) HA با مقادیر مختلف پلی اتیلن گلیکون (PEH) (0، 1، 2، 4 و 6g/L) به عنوان توزیع کننده تهیه شد. اثر PEG بر پایداری کلوئیدی سوسپانسیون ها با استفاده از آزمون های پتانسیل زتا، ویسکوزیته و طیف سنجی مادون قرمز (FTIR) بررسی شد. نتایج TFIR نشان داد که PEG بر سطح نانوذرات HA جذب می شود. با توجه به نتایج بدست آمده، مکانیزم عملکرد PEG به عنوان توزیع کننده، شامل پروتونه شدن و سپس جذب بر سطح نانو ذرات HA است که این امر منجر به افزایش بار سطحی ذرات و ایجاد پایداری کلوئیدی از طریق مکانیسم الکترواستریک می شود. رسوب نشانی الکتروفورتیک (EPD) از سوسپانسیون های حاوی نانوذرات HA و غلظتهای مختلف PEG بر روی زیر لایه ی فولادزنگ نزن 316L در ولتاژهای 60 و 200V و در زمان های مختلف (15، 30، 60، 120، 240 و 360 ثانیه) اجرا شد. EPD از سوسپانسیون حاوی PEG 2g/L سریعترین سنتیک را نشان داد که به علت بیشینه بودن پتانسیل زتا (32mv) نانوذرات HA در آن و در نتیجه بیشترین مقدار موبیلیته ی الکتروفورتیک برای آنها در این سوسپانسیون می باشد. تصاویر SEM نشان دادند که رسوب تشکیل شده از سوسپانسیون حاوی PEG 2g/L دارای ریزساختار ریزتر با کمترین میزان اگلومره شدن می باشد. تصاویر میکروسکوپ نوری نیز نشان داد که PEG به عنوان یک بایندر مؤثر برای جلوگیری از ترک برداشتن رسوب حین خشک کردن عمل می کند. اثر اعمال پوشش HA از سوسپانسیون های مختلف بر روی مقاومت به خوردگی زیرلایه فولاد زنگ نزن در محیط رینگر و دمای 37/5 ºC با استفاده از روش پلاریزاسیون مطالعه شد، مشاهده شد که پوشش رسوب داده شده از سوسپانسیون حاوی PEG 2g/L دارای بالاترین مقاومت به خوردگی در محلول رینگر می باشد.

کلیدواژه ها:

نانوذرات هیدروکسی آپاتیت (HA) ، پلی اتیلن گلیکول (PEG) ، رسوب نشانی الکتروفورتیک (EPD) ، خوردگی