بررسی ویژگی های ساختاری و الکترونی ترکیب های AgGaX۲(X=Se,S,Te) و CuSbX۲(X=Se,S,Te) با استفاده از نظریه تابعی چگالی

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 32

فایل این مقاله در 17 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_NSMSI-38-1_017

تاریخ نمایه سازی: 8 خرداد 1404

چکیده مقاله:

در این مطالعه ویژگی­ های ساختاری از جمله ثابت­ های شبکه، مدول حجمی و الکترونی ترکیب ­های (X=S,Se,Te) AgGaX۲ وCuSbX۲ (X=S,Se,Te) در حالت انبوه در چارچوب نظریه تابعی چگالی و روش موج­ های  تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) با استفاده از نرم ­افزار Wien۲k محاسبه شده است. هم­چنین برای بررسی ویژگی­های الکترونی این ترکیب­ ها، چگالی حالت­ های کل، ساختار نواری، چگالی حالت ­های جزیی و چگالی ابر الکترونی رسم شده ­اند. نتیجه ­های به دست آمده نشان می­ دهد که هر سه ترکیب نیم ­رسانا دارای گاف مستقیم در نقطه Γ می ­باشد. با توجه به چگالی ابر الکترونی و چگونگی توزیع ابر الکترونی در اطراف اتم­ ها، نشان م ی­دهد که پیوند بین ات م­ها در ترکیب­ های(X=S,Se,Te) AgGaX۲ وCuSbX۲ (X=S,Se,Te) کووالانسی است. هم­چنین با استفاده از منحنی­ های چگالی حالت ­ها، چگونگی هم­پوشانی اربیتال ­ها بیان شده ­اند. از سویی با رسم نمودار ساختار نواری ترکی ب­ها با تقریب­های گوناگون برای انرژی تبادلی همبستگی، میزان و دقت گاف­های نواری ترکیب ­ها مشخص شده است که نتیج ه­های به­ دست آمده با دیگر نتیجه­ های تجربی موجود سازگار می­ باشد.

نویسندگان

حمدا.. صالحی

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران

الهام گردانیان

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران، اهواز، اهواز, ایران

روح الله زارع حسن آباد

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران، اهواز، اهواز, ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Frank H., Theoretical Investigation of the Electronic Energy band Structure ...
  • Grass G., Rensing C., Solioz M., Metallic Copper as an ...
  • Karaagac H., Parlak M., Deposition of AgGaS۲ Thin Films by ...
  • Bai L., Lin Z., Wang Z., Chen C., Lee M.-H., ...
  • Tinoco T., Polian A., It J.P., Moya E., Gonzalez J., ...
  • Chemla D.S., Kupecek P.J., Silver Thiogall ate, A New Material ...
  • J.L. Shay, Tell B., Kasper H.M., Schiavone L.M., Electronic Structure ...
  • Campe H.v., Growth and Electrical Properties of AgGaS۲ Thin Films, ...
  • Merschjann C., Mews M., Mete T., Karkatzinou A., Rusu M., ...
  • Kumar M., Persson C., CuSbS۲ and CuBiS۲ as Potential Absorber ...
  • Belhadj M., Tadjer A., Abbar B., Bousahla Z., Aourag H., ...
  • Soliman L.I., Aboel A.M., Sammer A El Ghfar, Structural and ...
  • Blaha P., Schwarz K., Madsen G.K.H., Kvasnicka D., Luitz J., ...
  • Langreth D. C., Perdew J. P., Theory of Nonuniform Electronic ...
  • Perdew J.P., Wang Y., Accurate and Simple Analytic Representation of ...
  • Slater J.C., Wave Functions in a Periodic Potential, Physical Review, ...
  • Chahed A., Benhelal O., Laksari S., Abbar B., Bouhafs B., ...
  • Chen S., Gong X.G., Wei S.-H., Band-Structure Anomalies of the ...
  • Andersen O.K., Linear Methods in Band Theory, Physical Review B, ...
  • Y. M. Ori, K. Takara, S. Iwamoto, S. Minomur, E. ...
  • Bai L., Lin Z., Wang Z., Chen C., Mechanism of ...
  • Becke A.D., Roussel M. R., Exchange Holes in Inhomogeneous Systems: ...
  • Colombara D., Peter L.M., Rogers K.D., Painter J.D., Roncallo S., ...
  • Pauling L., The Nature of the Chemical Bond and the ...
  • نمایش کامل مراجع