مطالعه نظری ساختار هندسی و الکترونی مشتق های ۱,۴ بیس(دیفنیل آمینو)بنزن) و بررسی کارآمدی این ترکیب ها به عنوان ماده انتقال حفره در دیودهای نورگسیل آلی (OLED)

تلاش مبنی بر افزایش بهره تابشی چشمه های نورگسیل آلی از زمینه های مهم پژوهشی روز به شمار می­رود. ظرافت، دقت و شرایط بسیار ویژه لایه نشانی، در کنار ماندگاری و بهره تابشی از چالش های مهم فناوری یاد شده محسوب می شود. از سویی توسعه روش­ های نوین مکانیک کوانتومی همچون نظریه تابعی چگالی (DFT) و دیگر روش های نوین امروزی، امکان شبیه­ سازی و غربالگری را برای بسیاری از مواد دارای کاربرد صنعتی فراهم کرده است. در این پژوهش با استفاده ازروش تابعی چگالی DFT، کارآمدی دسته ای از مشتق­ ها ۱,۴ بیس(دی فنیل آمینو)بنزن به عنوان یک الگوی شیمی فیزیکی برای کاربرد در سامانه های نورگسیل آلی موسوم به OLED ارایه شد. همچنین، محاسبه­ های مربوط به بازآرایی الکترون حفره، انرژی یونش و الکترون­ خواهی در کنار سایر ویژگی های فوتو­ولتایی افزون بر تایید کارآمدی این سامانه ها، اثر کلیدی استخلاف در ویژگی های این ترکیب­ ها به­ عنوان لایه انتقال حفره در دیودهای نورگسیل آلی را پیش بینی می نماید.

کلیدواژه ها:

دیودهای نورگسیل آلی ، نظریه تابعی چگالی ، لایه نورگسیل ، لایه انتقال