بررسی اثر هیدروژن درلایه های نازک اکسید قلع آلاییده شده با درصد ها مختلف ناخالصی ایندیوم (SnO2:In)

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,257

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC86_265

تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385

چکیده مقاله:

در انواع ساختارهای نمونه های نبمه هادی، نقایص بلوری ( با چگالی های متفاوت ) وجود دارد . اتصالات آویزان ناشی از این نقایص، باعث به دام اندازی حامل های بار و کاهش تحرک حامل ها می شوند . انتظار می رود که قرارگیری لایه نازک SnO2 :In در معرض هیدروژن اتمی موجب افزایش چشمگیر هدایت الکتریکی این لایه ها شود، چرا که هیدروژن اتمی می تواند با بستن اتصالات آویزان ( ناشی از نقص های بلوری ) ، تحرک حامل های بار را افزایش دهد . در این تحقیق لایه های نازک SnO2 :In با درصد های مختلف ناخالصی In ساخته شده به روش اسپری پایرولیز، در شرایط بهینه هیدروژن دهی شدند . نتیجه این امر کاهش 30 تا 45 درصدی مقاومت الکتریکی نمونه ها بود در حالیکه کاهش کمی در عبور اپتیکی لایه ها مشاهده شد .

نویسندگان

محسن میرنژاد

آزمایشگاه میکرو الکترونیک، گروه فیزیک دانشگاه فردوسی مشهد ، مشهد

محمود رضایی رکن آبادی

آزمایشگاه میکرو الکترونیک، گروه فیزیک دانشگاه فردوسی مشهد ، مشهد

حسین کشمیری

آزمایشگاه میکرو الکترونیک، گروه فیزیک دانشگاه فردوسی مشهد ، مشهد

محمدرضا رشیدیان وزیری

گروه فیزیک دانشگاه بیرجند، بیرجند