تعیین ضخامت لایه ی نازک SiO2 با استفاده از طیف بازتابی در بازه ی انرژِی5-1.5
محل انتشار: سومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیرز ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 981
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE03_095
تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392
چکیده مقاله:
با استفاده از طیف بازتاب نور در ناحیه ی انرژیeV 5-1.5،ضخامت لایه ی نازک SiO2 که به روش اکسیداسیون گرمایی روی زیرلایه های سیلیکان نوع P با جهت (100) صیقلی و غیر صیقلی نشانده شده، برآورد و در این مقاله گزارش شده است. روش اندازه گیری بر اساس مقایسه طیف بازتاب تجربی لایه مورد نظر و طیف بازتاب نظری همان لایه ناشی ازتداخل چندپرتویی در انرژی های مختلف انجام شده است. مقایسه طیف تجربی و نظری نشان می دهد که توافق بسیارخوبی بین نتایج نظری و تجربی در انرژی هایی که طیف بازتاب بیشینه و یا کمینه است وجود دارد. همچنین طیف FTIR تهیه شده از نمونه های لایه نازک، تشکیل لایه SiO2 به روش اکسیداسیون گرمایی را تأیید می کند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
طاهره سادات سیدی آرانی
گروه فیزیک دانشگاه الزهرا، ونک، تهران
فاطمه شهشهانی
گروه فیزیک دانشگاه الزهرا، ونک، تهران
رضا ثابت داریانی
گروه فیزیک دانشگاه الزهرا، ونک، تهران
بتول سجاد
گروه فیزیک دانشگاه الزهرا، ونک، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :