مطالعه نقش پردازش لیزری در حضور میدان مغناطیسی ضعیف طولی در ایجاد پاسخ امپدانسی CoFeSiB نامتقارن نوارهای آمورف کبالت پایه

پاسخ امپدانسی نامتقارن (AMI) به دلیل بهبود بیشتر کارایی حسگرهای میکرومغناطیسی از نظر حساسیت میدانی و خطی بودن دارای اهمیت بسیار است . این رفتار برای نوارهای آمورف Co68.15Fe 4.35Si 12.5B15 پردازش شده با لیزر پالسی Nd:YAG با طول موج 1064 nm و با تغییر پارامتر نرخ تکرار پالس، در هوا و طی اعمال میدان مغناطیسی طولی 3 Oe بررسی شده است . نتایج نشان دهنده آن است که علیرغم برخورداری نمونه خام از مقدار ناچیز ضریب نامتقارنی ، رفتار پاسخ امپدانسی نامتقارن در نرخ تکرار پالس مختلف به یک شکل ظاهر نمی شود؛ در حالیکه با اعمال میدان مغناطیسی ضعیف حین پردازش لیزری رفتاری همسان به صورت القای میدان ناهمسانگردی دیگری در نمونه ها و ظهور عدم تقارن در منحنی MI حول میدان مغناطیسی صفر دیده می شود . تفاوت در پاسخ امپدانسی نامتقارن در نرخ تکرار پالس لیزری را می توان به ناهمسانگردی متفاوتی که به ازای شرایط پردازش مختلف حاصل می شود، نسبت داد .