تحول دینامیکی خودمشابه مغناطوسیال برافزایشی مقاومتی در اطراف یک سیاهچاله ساکن

در این تحقیق، ما بر معادلات مغناطوهیدرودینامیک نسبیت عامی حاکم بر حرکت مغناطوپلاسمای برافزایشی بر یک سیاهچاله ساکن، حد نیوتنی اعمال می کنیم. و تحول زمانی یک قرص مغناطیده برافزایشی ضخیم ناوشکسان را در حضور میدان مغناطیسی دوقطبی سیاهچاله مرکزی مورد مطالعه قرار می دهیم. با حضور رسانندگی الکتریکی متناهی برای سیال، در واقع تنش مغناطیسی، جایگزین تنش وشکسانی لایه ای در الگوی قرص استاندارد می شود و مسئولیت انتقال تکانه زاویه ای را به عهده می گیرد. همه کمیات فیزیکی سامانه تابعی از سه متغیر  ،  و  هستند. وابستگی زمانی توابع فیزیکی سامانه را از روش خودمشابه زمانی می یابیم. با فرضیات فیزیکی مناسب، وابستگی فضایی توابع را تا حد امکان با جواب های تحلیلی دقیق، و سپس به ناچار به روش عددی به دست می آوریم. جواب های خودمشابه نشان می دهند که با گذشت زمان،  فروریزش و چرخش سیال کندتر، قرص کم چگال تر، سردتر و کم فشارتر می شود، همچنین رسانندگی الکتریکی سیال نیز کاهش می یابد. هرچه رسانندگی الکتریکی سیال بیشتر می شود، فروریزش و چرخش سیال کندتر، قرص چگال تر و سردتر می شود ولی آهنگ بر افزایش جرم بیشتر می شود. چگالی جریان الکتریکی سمتی تولید شده به خاطر حرکت مغناطو سیال، ساختار میدان مغناطیسی درون قرص را تعیین می کند و منجر به یک مولفه قطبی برای میدان مغناطیسی قرص می شود. به لطف رسانندگی الکتریکی متناهی سیال، بر سطح مرزی قرص، خطوط ثابت میدان مغناطیسی قرص به خطوط دوقطبی میدان مغناطیسی سیاهچاله مرکزی متصل می شوند. با سپری شدن زمان، این پیکربندی ثابت می ماند؛ زیرا تابعیت زمانی مولفه های میدان مغناطیسی قرص یکسان است.

کلیدواژه ها:

برافزایش ، قرص های برافزایشی ، سیاهچاله ، مغناطوهیدرودینامیک