بهبود پهنای باند و کاهش پلاریزاسیون متقاطع آنتن پچ مستطیلی با ساختار DGS بیضوی

در این مقاله، یک آنتن پچ میکرواستریپ جدید با پهنای باند بهبود یافته و کاهش سطح پلاریزاسیون متقاطع ارائه شده است. طراحی پیشنهادی برای دستیابی به سطح پلاریزاسیون متقاطع پایین و پهنای باند بهینه شده شامل ایجاد شکاف های بیضوی در صفحه زمین و ایجاد تغییر و نقص در صفحه زمین آنتن میکرواستریپ می باشد. این روش ها شدت میدان های ناخواسته تابشی آنتن پچ میکرواستریپ را کاهش داده و در نتیجه منجر به کاهش سطح پلاریزاسیون متقاطع و بهبود پهنای باند آنتن می شوند. برای ارزیابی عملکرد، یک آنتن پچ مرجع با صفحه زمین متداول طراحی شده است و با آنتن پیشنهادی مقایسه شده است. آنتن پیشنهادی بهبود قابل توجهی در سطح پلاریزاسیون متقاطع (حدود ۲۰ دسی بل) و پهنای باند (تقریبا ۱۵٪) نسبت به آنتن میکرواستریپ پچ با صفحه زمین متداول نشان داده است. آنتن پیشنهادی همچنین بهبود چشمگیری در نسبت پلاریزاسیون متقاطع در پهنای باند امپدانسی، از ۳.۷ گیگاهرتز تا ۴.۵ گیگاهرتز، ارائه می دهد.

کلیدواژه ها:

پلاریزاسیون متقاطع پایین ، ساختار صفحه زمین نقص دار ، آنتن پچ ، میکرواستریپ