ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

بررسی تغییرات ضخامت لایه جاذب و شکاف باند در عملکرد سلول خورشیدی CIGS

سال انتشار: 1392
کد COI مقاله: STSEE01_006
زبان مقاله: فارسیمشاهد این مقاله: 857
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 5 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله بررسی تغییرات ضخامت لایه جاذب و شکاف باند در عملکرد سلول خورشیدی CIGS

محدثه موسوی تبار - دانشجووی کارشناسی ارشد گروه علمی مهندسی برق و الکترونیک
احمد عفیفی - گروه مهندسی برق الکترونیک
امیر حسین سالمی - عضو هیات علمی دانشکده فنی مهندسی

چکیده مقاله:

تکنولوژی سلولهای خورشیدی فیلم نازک بر اساس لایه نشانی روی بسترهای شیشه ای، فلزی یا پلیمری در ضخامت های 3میکرومتر تا 5 میکرومتر می باشد. این سلولها به صورت ورقه های نازک می باشند که روی یک بستر ارزان قیمت ساخته می شوند. سلولهای خورشیدی CIGSیکی از انواع سلولهای خورشیدی فیلم نازک می باشد که در بین این گروه از سلولها از بازده بالاتری برخوردار است. در حال حاضربیشترین بازده به دست آمده برای این سلول 2.03 % می باشد. در این مقاله تغییرات ضخامت لایه جاذبCIGS و تغییرات شکاف باند توسط نرم افزارSILVACO مورد بررسی قرار گرفته و حالت بهینه مورد ارزیابی قرار گرفته است

کلیدواژه ها:

بازده،سلول خورشیدی،فیلم نازک،لایه جاذب

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/221018/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
موسوی تبار، محدثه و عفیفی، احمد و سالمی، امیر حسین،1392،بررسی تغییرات ضخامت لایه جاذب و شکاف باند در عملکرد سلول خورشیدی CIGS،اولین همایش تخصصی علوم ، فناوری و سامانه های مهندسی برق،تهران،،،https://civilica.com/doc/221018

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1392، موسوی تبار، محدثه؛ احمد عفیفی و امیر حسین سالمی)
برای بار دوم به بعد: (1392، موسوی تبار؛ عفیفی و سالمی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود ممقالهقاله لینک شده اند :

  • Huang CH, " Effects of Ga content on Cu(In, Ga)Se2 ...
  • Ingrid Repins, Stephen Glynn, Joel Duenow, Timothy J. Coutts, Wyatt ...
  • Chelvanathan P, Hossain M, Amin N, " Performance analysis of ...
  • _ Jiyon Song, Sheng S. Li, C. H Huang, O. ...
  • Morales-Acevedo A, " Variable band-gap semiconductor s the basis of ...
  • Ulal HS, Zweibel K, Von Roedern B, " Current status ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی