بررسی تغییرات ضخامت لایه جاذب درعملکرد سلول خورشیدی CIGS

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 885

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ENERGYBON01_044

تاریخ نمایه سازی: 13 آبان 1393

چکیده مقاله:

سلولهای خورشیدی فیلم نازک CIGSبراساس لایه نشانی روی بسترهای شیشه ای فلزی یا پلیمری درضخامت های 3میکرومتر تا5میکرومتر می باشد و به دلیل انعطاف پذیری وقابلیتهای ویژه دربسیاری ازمراکز تحقیقاتی موردبررسی قرارگرفته است و درگروه خود ازبازده بالاتری برخوردار است دراین مقاله تغییرات ضخامت لایه جاذب CIGS توسط نرم افزار SILVACO انجام شده و حالت بهینه موردارزیابی قرارمیگیرد

نویسندگان

زهرا دهقانی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان دانشجوی کارشناسی ارشدگروه مهندسی برق و الکترونیک آشتیان ایران

حمیدرضا رضاعلیخانی

دانشگاه تفرش عضوهیئت علمی دانشکده فنی مهندسی گروه مهندسی برق تفرش ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Huang CH, ; Effects of Ga content On Cu(In, Ga)Se2 ...
  • Ingrid Repins, Stephen Glymn, Joel Duenow, Timothy J. Coutts, Wyatt ...
  • Chelvanathan P, Hossain MI, Amin N, ;: Performance analysis of ...
  • Jiyon Song, Sheng S. Li, C. H. Huang, O. D. ...
  • Moral es-Acevedo _ Variable band-gap semiconducto as the basis of ...
  • Ullal HS, Zweibel K, Von Roedern B, ;: Current status ...
  • Photovoltaic Specialists Conf., Anaheim, CA, USA; 1997, p. 301. ...
  • نمایش کامل مراجع