طراحی دروازه منطقی در تکنولوژی مدارهای آتوماتای سلولی کوانتومی در برابر خطای جا افتادگی الکترون

تکنولوژی CMOS نسبت به مدارهای آتوماتای سلولی کوانتومی (QCA) مساحت بسیار زیادی اشغال می کنند و توان مصرفیشان نیز بسیار بیشتر است. به همین دلیل است که QCA با این خصوصیات منحصربه فرد تحول بزرگی در حوزه علم کامپیوتر و مدارهای منطقی به حساب می آید. اما موانع موجود در مدارهای آتوماتای سلولی کوانتومی (QCA) وجود خطاهایی است که مراحل شیمیایی ساخت چنین مدارهایی اتفاق می افتد که کارکرد صحیح آن را با مشکل مواجه می کند. یکی از این خطاهها، خطای جا افتادگی الکترون است که باید در طراحی مدار طوری عمل کرد تا اگر تا حد خاصی چنین خطاهایی در طی فرآیند ساخت اتفاق افتاد، مدار باز به کارکرد صحیح خود را داشته و خروجی صحیح را بدهد. یکی از گیتهای پرکاربرد در مدارهای QCA، گیت اکثریت بوده و تاکنون ساختارهای گوناگونی برای آن پیشنهاد شده است. در این مقاله گیتی پیشنهادی شده است که در مقایسه با دیگر کارهای مشابه، در برابر خطای جا افتادگی الکترون بهبود یافته است.

کلیدواژه ها:

جا افتادگی الکترون ، آتوماتای سلولی کوانتومی ، خطا ، گیت