نشان دهنده تصحیح ناپایداری در ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون هیدروژن( H+ - sensitive FETs)

روشی برای تصحیح ناپایداری درترانزیستورهای اثرمیدانی انتخاب کننده یون حساس به H+ -sensitive FET( PH یا PH-ISFET ارایه شده است این روش مبتنی بربازبینی تغییرات جریان درین درهنگام عملکرد قطعه با یک پتانسیل مرجع ثابت و یا بازبینی ولتاژ فیدبک اعمال شده به الکترود مرجع درهنگام عملکردISFET درآرایش فیدبک می باشد درPH-ISFET ناپایداری که عموما به دریفت موسوم است بصورت تغییرات یکسویه و نسبتا کند درسیگنال اندازه گیری یعنی جریان درین یا ولتاژ فیدبک درغیاب نوسانات PH ناچیز باشد این شرایط بطور مشخص درجراحی بای پس قلبی ریوی که درآ« تغییرات قابل توجهی درPH بصورت ناگهانی رخ میدهد صدق می کند تحت این شرایط دریک ISFET که حساسیت بالایی نسبت به PH به نمایش میگذارد تغییر سیگنال اندازه گیری درفواصل زمانی نسبتا کوتاه صرفا تغییرات PH را درزمان حقیقی منعکس می کند درستی روش پیشنهاد شده با استفاده ازیک قطعه ISFET که برای عایق گیت آن ازSi3N4بعنوان ماده حساس به PH استفاده شده است به ازای تغییرات PH درگستره 3/5-10/1 بررسی شده است این رویکردممکن است بطورعمومی برای تصحیح دریفت درزیست حسگرها درشرایطی که نرخ آنی دریفت درمقایسه با نرخ تغییر غلظت انالیت موردنظر ناچیز است قابل اعمال باشد

کلیدواژه ها:

دریفت ، ISFET ، PH ، ناپایداری ، بازبینی پیوستهCM