ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

شبیه سازی رفتار ترانزیستور اثر میدانی فراپیوندی

محل انتشار: پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 646

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/219365

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE05_049

تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392

چکیده مقاله:

دراین مقاله به مقایسه ی مدلهای ارایه شده توصیفی برای رفتارسرعت رانشی برحسب میدان الکتریکی درGaN می پردازیم درادامه اثراین رفتاروبالازدگی سرعت درترانزیستورهای اثرمیدانی فراپیوندیAlGaN/ GaN را شبیه سازی میکنیم و مشخصه ی ولتاژ - جریان این افزاره ها را محاسبه می کنیم درپایان برای سنجش درستی شبیه سازی انجام شده نتایج بدست امده را با مدلRidely مقایسه می کنیم

کلیدواژه ها:

سرعت رانش ، تحرک وابسته به میدان ، گارالکترونی دوبعدی ، AlGaN/ GaN وHFET

نویسندگان

عبدالنبی کوثریان

دانشکده مهندسی دانشگاه شهید چمران اهواز

تینا دقوقی

دانشکده مهندسی دانشگاه شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ _ _ _ [1] .L. S. McCarthy, I. P ...
  • S. C. Binari, L. B. Rowland, W. Kruppa, G. Klener, ...
  • V. Adivarahan, M. Gaevski, W. _ Sun, H. Fatima, A. ...
  • hetro structure field effect transistors"2 003 ...
  • M. Asifkhan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia and D. T. ...
  • M. Asifkhan, J. N. Kuznia , D. T. Olson, W. ...
  • A. Loghmany, P. Valizadeh _ al., ?analytical modeling of drain-current ...
  • Michael A. Briere"GaN based Power Devices RPI CFES Conference January ...
  • Y. F. Wu , B. P. Keller, S. Keller, D. ...
  • J.D. Brown, R. Borges, E. Piner, A. Vescan, S. Singhal, ...
  • J.W. Johnson, E.L. Piner, A. Vescan, R. Therrien, P. Rajagopal, ...
  • S. Yoshida, , J. Li, T. Wada, H. Takehara et ...
  • S. Yoshida, J. Li, H. Takehara, H. Kambayashi, N. Ikeda ...
  • S. Wood, R. Pengelly, D. Farrell, C. Platis and J. ...
  • S.Nakamura and G. Fasol (eds), The Blue Laser Diode, Springer-Verl ...
  • M. A. Khan, M. Shatalov, H. P. Maruska, H. M. ...
  • B. K. Ridley, "coupled surface and chanmel transport in _ ...
  • for conduction current in AlGaN/GaN HFETs /HEMTs"20 1 1 ...
  • A. Grebeme and S. Chandhi , "general theory for pinched ...
    • نمایش کامل مراجع