بررسی ریزساختار و خواص کامپوزیت C/C-SiC دو بعدی ساخته شده به روش نفوذ سیلیکون مذاب

امروزه کامپوزیت های C/C-SiC به عنوان نسل جدید مواد مهندسی در سازه های هوافضایی کاربردهای مختلفی در دماغه شاتل های فضایی، نازل راکت ها، مبدل های حرارتی، دیسک های ترمز هواپیماها و اتومبیل هادارند این کامپوزیت ها علاوه بر دانسیته پایین از مقاومت به شوک حرارتی و استحکام بالا و رفتار شکست شبه داکتیل برخوردار می باشند. در این تحقیق با استفاده از پارچه کربنی بر پایه پلی اکریلو نیتریل و رزین فنولیکبه روش پیش آغشته سازی و قالبگیری در کیسه خلاء کامپوزیت خام ساخته شد و پس از پخت کربنیزاسیون نمونه ها، فرایند سیلیکونیزاسیون به روش نفوذ سیلی کون مذاب انجام شد . خواص فیزیکی - مکانیکی نمونه هاشامل دانسیته، تخلخل باز، استحکام خمشی، آنالیز شیمیایی اندازه گیری شد . دانسیته و تخلخل باز نمونه های سیلیکونه شده به ترتیب2و2/9%g/cm3 و استحکام خمشی نمونه ها 140 مگا پاسکال بود . برای اندازه گیری فازهای موج ود در نمونه ها از آنالیز شیمیایی شیمی تر استفاده شد و میکرو سختی نمونه ها به روش ویکرز اندازه گیری شد . برای بررسی های ریزساختاری از میکروسکوپ نوری استفاده گردید و نتایج بررسی های میکروسکوپی نشان داد که ریز ساختار کامپوزیتC/C-SiC شامل فازهای سه گانهSi و SiC ،C می باشد.