شبیه سازی انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال تحت تاثیر میدان مغناطیس به روش شبکه بولتزمن

در این مقاله ، انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال آب- مس در حضور میدان مغناطیسی یکنواخت بین محفظه مربعی و سیلندر داخلی ، با روش شبکه بولتزمن شبیه سازی شده است . سیلندر داخلی در سه شکل مربعی ، لوزی و دایرهای مورد بررسی قرار گرفته است . دیوارههای محفظه مربعی در دمای ثابت سرد و سیلندر داخلی در دمای ثابت گرم قرار دارند. تاثیر اعداد رایلی و اعداد هارتمن در کسر حجمی ثابت نانو ذرات بر روی عدد ناسلت دیواره سرد و گرم و انتقال حرارت بررسی شده است . در شبیه سازی انجام گرفته ، میدان جریان ، دما و مغناطیس با حل همزمان توابع توزیع چگالی ، دما و مغناطیس محاسبه شده است . نتایج به دست آمده به خوبی حرکت جریان سیال و توزیع دمای داخل محفظه را نشان می دهد. صحت شبیه سازی انجام شده با استفاده از مقایسه نتایج با تحقیقات معتبر گذشته بررسی شده است ، که تطابق خوب نتایج نشان دهنده دقت بالای کد کامپیوتری نوشته شده، می باشد. نتایج بیانگر این است که ، برای هر سه هندسه ، با ثابت بودن عدد رایلی و افزابش عدد هارتمن انتقال حرارت کاهش می یابد. با ثابت نگه داشتن عدد هارتمن و افزابش عدد رایلی انتقال حرارت افزایش می یابند. برای انتخاب هندسه مناسب جهت انتقال حرارت بهینه باید به عدد رایلی و هارتمن توجه داشت .

کلیدواژه ها:

روش شبکه بولتزمن ، جابجایی آزاد ، نانوسیال ، میدان مغناطیسی