مدل سازی و طراحی کنترل کننده مقاوم H∞ برای سیستم فتوولتائیک در حضور اغتشاشات خارجی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 74
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISME23_108
تاریخ نمایه سازی: 9 دی 1403
چکیده مقاله:
در این مقاله ابتدا مدل سازی سیستم فتوولتائیک که شامل دو بخش غیرخطی ماژول فتوولتائیک و مبدل DC/DC است ، معرفی می شود. پس از آن طراحی کنترل کننده مقاوم Hinf برای تضعیف اثر اغتشاشات خارجی و نیز ردیابی همزمان ورودی مرجع ارائه می گردد. که به طراحی یک سیستم کنترل برای تنظیم ولتاژ فتوولتائیک می انجامد. سپس تعیین ضرایب وزنی و مسئله حساسیت مخلوط کنترل مقاوم برای این سیستم فتوولتائیک خطی شده مطرح می گردد.در این کار شیوه کنترل مقاوم Hinf برای تضعیف اغتشاشات خارجی وارده به سیستم فتوولتائیک و نیز ردیابی همزمان ورودی مرجع بر روی سیستم فتوولتائیک اجراء گردیده است . نتایج کنترل Hinf پیشنهادی با شبیه سازی های انجام شده به تصویر کشیده شده است . علاوه بر این ،کارایی سیستم با مقایسه تابع حساسیت و معکوس ضریب وزنی نیز ارزیابی شده است .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمدتقی عباسی
کارشناسی ارشد ، دانشگاه اصفهان / دانشکده فنی مهندسی
مهدی ادریسی
استادیار ، دانشگاه اصفهان / دانشکده فنی مهندسی
حمیدرضا کوفیگر
استادیار ، دانشگاه اصفهان / دانشکده فنی مهندسی
